主要技术指标：

1.主要沉积高K介电薄膜，如Al2O3, ZnO等

2.沉积的薄膜致密无漏点，大面积(最大100mm)且均匀性好(<1%）

3.薄膜可低温生长(从室温到350oC)，膜厚可精确控制在～1Å

4.工艺温度：最高500℃

5.样品尺寸：4英寸向下兼容

6.沉积速率： Al2O3 10nm/125cycle, ZnO 20nm/125cycle

7.极好的台阶、孔洞等三维覆盖率，可广泛适用于各种形状的衬底

8.配有系统控制软件平台，可编辑工作程序进行多层不同薄膜的沉积

主要功能：

原子层沉积（Atomic Layer Deposition，简称ALD）是一种先进的薄膜沉积技术，它能够在基底表面精确控制薄膜的生长，实现原子级别的厚度控制。ALD 技术通过交替引入不同的化学气相前驱体，在基底表面进行自限制的化学反应，从而逐层沉积形成薄膜。相较于传统沉积技术，ALD 在薄膜厚度的均匀性、复杂形状构件的覆盖程度等方面具有显著优势。它能够实现高度均匀的涂层覆盖，包括具有微观或甚至纳米级别结构的表面。ALD技术以其高精度、高均匀性和优异的保形性，在光伏领域、半导体领域、能源领域等多个领域得到了广泛应用，成为推动未来技术发展的重要力量。

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