光刻机

主要技术指标:
曝光面积:165mm×165mm,曝光波长:365nm,分辨力:≤0.8m。可通过目镜目视对准,也可通过CCD+显示器对准,光学合像,光学最大倍数400倍,光学+电子放大800倍
主要功能:
将掩膜板上的芯片设计图案精确地转移到硅片等基片上
联系人:唐老师;023-58556521。
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光刻机
主要技术指标:
曝光面积:165mm×165mm,曝光波长:365nm,分辨力:≤0.8m。可通过目镜目视对准,也可通过CCD+显示器对准,光学合像,光学最大倍数400倍,光学+电子放大800倍
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将掩膜板上的芯片设计图案精确地转移到硅片等基片上
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